1980年前后，通用公司的B•贾扬•巴利加发明了IGBT，解决了当时MOSFET和普通双极功率晶体管无法解决的问题。但随着产品的发展，大家发现了这种新型器件拥有静态损耗的问题。于是东芝半导体的工程师就在上个世纪九十年代率先实现了栅极注入增强（Injection Enhanced Gate Transistor）的技术，改进了传统IGBT，并用该技术的首字母为名，注册了专属的IEGT。也就是说IEGT本质上其实也是一个IGBT。

IEGT的优越性能决定了它非常适合在各种大功率变流器中使用。IEGT内部已集成了一个快速的反并联二极管，且IEGT具有很宽的安全工作区并能承受较高的dv/dt和di/dt，因此IEGT逆变器无需阳极电抗，只需公用一个关断吸收电路。此外，IEGT门极驱动功率不到lW，门极驱动模块体积很小。由于IEGT逆变器使用元件数量少，因而可靠性也得到很大提高。其典型特点如下：
●与GTO一样具有低的导通电压降；
●与IGBT一样具有宽的安全工作区；
●门极采用电压驱动方式；
●较高的工作频率500-1000Hz；
●高可靠性。

综上比较，IEGT将GTO和IGBT的优点集于一身，它具有导通压降低、工作频率高、电压型门极驱动、安全工作区宽、易于串联使用等优点。
从功率等级和电压等级上来讲，IGCT、IEGT与IGBT的定位远不相同，IGCT及IEGT主要应用在高压大容量的场合，IGBT应用在低压高频小容量场合。综上两节所述，得到如下结论：
●IGCT、IEGT开关频率都很高，在500-1000Hz之间，虽然远不及IGBT高，但在很多场合已经足够。
●IGCT是电流脉冲驱动，驱动功率比较大，但其门极驱动电路集成在IGCT内，对外只有门极驱动供电接口和用于传输触发信号和反馈状态的光纤，驱动体积小且简易。IEGT是电压驱动型器件，驱动功率与IGBT差不多。
●IGCT是晶闸管的复合管，可直接串联，因此不必过多考虑均压措施。而IGBT在串联使用时应考虑均压措施。
●IGCT与IEGT导通和关断损耗都很低，尤其是IGCT，如果不计驱动功率，同电压等级的IGCT损耗要比IGBT更低。
●对于IGCT和IEGT来说，4.5kV/3kA是较常用的规格，其容量和电压等级要远比IGBT大得多，更适合应用在大功率FACTS装置及大功率传动装置中。