IBIS是Input/Output buffer information specification的缩写，从名字中可以看出，模型的主要作用是描述器件输出输出的特性。

简单来说，有IBIS模型比没有模型，仿真结果会更为准确。

在IBIS出现之前，仿真主要依靠SPICE模型，由于SPICE模型规模庞大，通常仿真都非常耗时，且提供SPICE模型存在泄密的风险。而IBIS并不考虑IC内部的电路，只关注输入输出部分，因此不会泄露厂商的知识产权，且可以将仿真时间压缩一到两个数量级，大大提高效率。

IBIS模型最初由EDA软件公司，IC厂商，以及一些大学研究机构发起，目前成员众多：

相比于它的历史以及未来的发展，我们更关心IBIS模型到底包含了哪些内容。

这里我们用一个ISSI的DDR颗粒为例，看看IBIS中有哪些信息：

IBIS模型的后缀为.ibs，可以用专门的IBIS查看软件打开，也可以用记事本打开。

模型中用****号隔开的内容为备注，不包含被仿真软件实际使用的信息。

IBIS模型第一部分是头文件信息，包含了IBIS模型的版本号，文件名，日期，厂商等。

第二部分信息主要描述器件的物理特性，以及模型信息。

其中Package为封装上的RLC寄生参数，这个值分为三个部分，分别是典型值，最小值，最大值，用来模拟不同的仿真情景。

这部分还有各个引脚所对应的模型名称，以及该引脚的RLC信息（部分IBIS模型不会提供具体到某个引脚的RLC）。

 

比如在上图中，可以得出器件封装上的PIN A2，这个PIN的功能是DQ，使用的模型为I/O。

如果有差分，我们还能看到差分的信息（这部分也并不是标配）：

在这个环节的最后部分是关于模型的描述，比如一个I/O模型，就对应了多种输入输出的状态，这些我们是可以在仿真时选择进行设置的。

 

第三部分则是对第二部分中模型的详细描述，以上图中的第一个模型FULL_ODT0为例。最前面的部分是描述模型整体的一个电压特性，同时还可以从C_comp中获得该引脚的Die电容信息。

接着是最重要的I/V曲线与V/T曲线，这些曲线在IBIS模型中以坐标点的方式进行表达。

 

其中I/V曲线有四个，分别是Pulldown、Pullup、GND Clamp、POWER Clamp。这些曲线表示器件的静态特性，其测量方法为施加一定的电压值后，测得的电流值。

V/T曲线则相对更容易理解，表达的是信号在上升、下降沿电压和时间的关系。

这些数据由于是坐标点，很难直观的获得有用的信息。我们可以用IBIS Development Studio这个软件，将文本描述的信息转变为图形。

 

 

 

在这部分中还有一个参数是Ramp，这里对信号的边沿时间做了一个简单的总结，可以直观的看出信号的边沿时间，稍微留意一下，可以看见Ramp是被*****所包裹的，所以这个信息只是给我们看的，仿真并不会用这个信息，而是用上面的曲线。

以上就是IBIS模型的大体内容。IBIS初版协议自1993年发布以来，一直在不停的修订和完善协议，目前最新版本为2019年3月15日发布的7.0版本。