最近在学STM32，看正点原子视频中对开漏输出和推挽输出的讲解视频时，发现原子哥对电路的讲解有一些错误，主要说关于MOS管的开关问题，查了一晚上资料，终于想明白了，特意发个文章分享一下。
这是STM32F4XX中文参考手册中GPIO口的结构图。输出部分的电路是在下方。
先简单介绍一下MOS管吧。MOS管其实是和三极管差不多的，有三个极：栅极（G），源极（S）和漏极（D）。三极管通过放大基极的电流变化来控制集电极的电流输出，而MOS管通过栅极和漏极的电压控制电流。MOS管是通过场效应实现这种控制的，实际没有电流通过，因此不会被烧坏，而且输入阻抗也比较大。
MOS管可以分为PMOS管和NMOS管。简单来说，当用作开关电路时，对于PMOS管，当Ug < Us并且电压差达到阈值的时候，PMOS管就是导通的，对于NMOS管，当Ug > Us并且电压差达到阈值的时候，NMOS管就是导通的。
该电路图中，PMOS管源极接Vdd，应此当珊极给低电平时，Ug < Us，PMOS管导通，漏极与源极与Vdd接通，输出高电平，当栅极给高电平时，PMOS管关闭。NMOS管源极接地，应此当栅极给高电平时，Ug > Us，NMOS管导通，漏极与源极与Vss接通，输出低电平；当栅极给低电平时，NMOS管关闭。
需要注意的是这个输出控制器，内部电路也没有给，如果输入是1，输出不一定是1的，原子哥就是这里讲错了，导致后面的PMOS管，NMOS管的导通条件都对不上。
开漏输出时，PMOS管是开路的状态，也就是说只用到NMOS管。如果寄存器给到输入0，通过输出控制器，输出到NMOS管的栅极为1，此时NMOS管导通，IO口输出为0；如果寄存器给到输入1，通过输出控制器，输出到NMOS管的栅极为0，此时NMOS管关闭，IO口的输出取决于接上拉电阻还是下拉电阻。开漏输出以MOS管的漏极为输出，所以叫开漏输出。
推挽输出时，PMOS管和NMOS管都会用到。如果寄存器给到输入0，通过输出控制器，输出到PMOS管的栅极为1，输出到NMOS管的栅极为1，此时PMOS管关闭，NMOS管导通，IO口输出为0；如果寄存器给到输入1，通过输出控制器，输出到PMOS管的栅极为0，输出到NMOS管为0，此时PMOS管导通，NMOS管关闭，IO口输出为1。
关于推挽输出，个人是这样理解的（看看就行，大概率是不对的…）可以看到，两个MOS管只有一个是导通的，另一个则是高阻抗的关闭状态。当PMOS管导通，NMOS管关闭的时候是这样的：相当于"推"
当NMOS管导通，PMOS管关闭的时候，则是这样的，相当于“挽”：
这里插一个眼，是我看到一个博主通过三极管来解释推挽和开漏的，至于MOS管嘛…我这个小白也不是很懂。
https://blog.csdn.net/lostand/article/details/70052918
可以看到推挽输出的时候，寄存器设为0就输出0，寄存器设为1就输出1，很适合做数字的输入输出，一般我用推挽输出用的也比较多。开漏输出寄存器设为0是输出0，寄存器设为1的话，输出不一定是1，还要取决于外面接了上拉电阻还是下拉电阻，相当于是一般只能输出低电平吧。开漏输出没怎么用过，不过据说驱动能力比较强，可能是因为高电平时通过外部的上拉电阻实现的，拉电流可能相对内部驱动的电流会大一点？
总结一下就是这个表：
| 输出类型 | 寄存器输入 | PMOS管栅极输入 | NMOS管栅极输入 | PMOS管状态 | NMOS管状态 | 最终输出 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 开漏输出 | 0 | 开路 | 1 | 未使用 | 导通 | 0 |
| 开漏输出 | 1 | 开路 | 0 | 未使用 | 高阻抗 | 1 |
| 推挽输出 | 0 | 1 | 1 | 高阻抗 | 导通 | 0 |
| 推挽输出 | 1 | 0 | 0 | 导通 | 高阻抗 | 1 |
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