带隙基准（Bandgap Reference）基本原理和仿真——Virtuoso
1.基本原理
1.1负温度系数
1.2正温度系数
1.2带隙基准电路原理
从放大器的输入的正负两端看进去，经过输出拉回到输入，这里存在了两个反馈，一个正反馈，一个负反馈。
在这里可以将两条之路上的电流合并成一个支路，经过一个电阻再输出基准电压Vref。
其中电阻R4也会影响输出的基准电压Vref，由于工艺等原因，实际流片产生的基准电压Vref肯定和仿真结果略有差距，但是我们可以将R4作为修调电阻，提前考虑到基准电压Vref不准，在一定范围内，进行烧铝，使得基准电压Vref尽可能接近我们的设计值。
上图是一个简单的BGR的电路图，启动电路没有放入，关于启动电路的最主要作用便是摆脱电路最初状态无电流的一个状态，具体原理可以自己去查相关资料。
肯定要仿真的是基准电压Vref随温度的变化曲线，这里跑了-45℃-120℃，
为了具体体现带隙基准受温度的影响程度，我们可以计算其ppm，利用virtuoso自带计算器进行公式编写和输出，输出到ADE界面自然就能在每次仿真时计算和观察。
但是仅仅仿真这些是不够的，应该还有一下仿真：
1.电源电压VDD的变量对基准电压Vref的影响；
2.加入iprobe，观察BGR中基准电压Vref和放大器环路的稳定性；
3.改变conner，尤其是电阻和BJT conner的改变，对基准电压Vref的影响；
4.启动电路，电路启动的瞬态仿真；
具体的一些仿真操作，可以参考何乐年那本模拟仿真带隙基准的介绍，讲解带隙基准的基本原理，虽然是对于IC51的仿真操作，但是具体需要仿真的哪些内容是有参考意义的
