实际半导体与理想半导体的区别

1. 理想半导体：假设晶格原子严格按照周期性排列并静止在格点位置上，实际半导体中原子不是静止的，而是在其平衡位置附近振动。
2. 理想半导体是纯净不含杂质的，实际半导体含有若干杂质。
3. 理想半导体的晶格结构是完整的，实际半导体中存在点缺陷线缺陷面缺陷等。
   杂质分类
   
   
   浅能级杂质的计算（杂质电离能）
   

杂质的补偿作用施主杂质与受主杂质之间有相互抵消的作用
双性行为Si(+4)在AsGe中取代As(+3)表现为受主杂质[吸收一个电子并形成负电中心]，取代Ge(+5)表现为施主杂质[释放一个电子并形成正电中心]

位错：晶格位置发生改变（变窄或者变长），此时禁带宽度也会发生改变。