铁氧体磁珠（(Ferrite Bead, FB）是一种利用电感原理制作而成的元器件，主要用于抑制信号或电源线的高频噪声和尖峰干扰，还具有吸收静电脉冲的能力，是目前应用发展很快且廉价易用的一种抗干扰器件，它的原理图符号通常与电感器是一样的。
一根引线穿过铁氧体磁芯就组成最简单的磁珠，其基本结构如下图所示：
可以说，每一位有经验的电子工程师都曾经将电感与磁珠对比过，这也是深入理解磁珠的一种途径（前提是你得先深入了解过电感，有了前面章节的铺垫自然不在话下），这里我们也来入乡随俗看看网络上的资料有哪些主流说法：
1、电感的单位是亨利，磁珠的单位是欧姆；
2、电感是储能元件，磁珠是能量消耗器件；
3、电感多用于电源滤波回路，磁珠多用于信号回路及EMC对策；
4、磁珠主要用于抑制电磁辐射干扰，而电感则侧重于抑制传导性干扰；
5、磁珠由氧磁体组成，电感由磁芯和线圈组成；
6、磁珠是用来吸收超高频信号，像一些RF电路、PLL、振荡电路、含超高频存储器电路（DDRSDRAM，RAMBUS等）都需要在电源输入部分加磁珠，而电感是一种蓄能元件，用在LC振荡电路、中低频的滤波电路等，其应用频率范围很少超过50MHZ；
7、地与电源的连接一般用电感，而对信号线则采用磁珠。但实际上磁珠应该也能达到吸收高频干扰的目的，而且电感在高频谐振以后都不能再起电感的作用了；
8、磁珠在高频段的阻抗由电阻成分构成，随着频率升高，磁芯的磁导率降低，导致电感的电感量减小，感抗成分减小，但是，这时磁芯的损耗增加，电阻成分增加，导致总的阻抗增加，当高频信号通过铁氧体时，电磁干扰被吸收并转换成热能的形式耗散掉；
9、磁导率μ可以表示为复数，实数部分构成电感，虚数部分代表损耗，随着频率的增加而增加。
对于大多数工程师来说，磁珠与电感的区别都来源于此，但是真正在应用的时候却经常会有这样的困惑：这个地方用磁珠还是电感呢？好像两种都是可以的？网上搜一下看有没有现成的原理图参考一下，换言之，对磁珠与电感之间的本质区别不是很了解。
1、电感的单位是亨利，磁珠的单位是欧姆。这点似乎没什么好争议的，其实不然！
我想说的是：这特么也算电感与磁珠的一个区别？首先，这句话本身是有问题的，根据我们前面学过的概念分层法，“电感”与“磁珠”不是一个层次的概念（电感也有“电感器”的意思），“电感器”与“磁珠”才是同一个层次的概念，那这句话理应是“电感器的单位是亨利，磁珠的单位是欧姆”，但还是不对劲？电感器是元器件的概念，单位是个数或PCS（有人说，你这就钻牛角尖了吧，但做技术就得钻牛角尖，很多看似简单的概念其实并不简单）
其次，亨利或欧姆都是电感器或磁珠某一方面的参数，两种元器件都有这个参数，为什么你会以这个为理由认为两种有差别？我们先来看看磁珠的等效模型，如下图所示：
其中，EPC表示并联寄生电容，LBEAD表示磁珠的电感成分，RAC为磁珠等效交流电阻（交流磁芯损耗），RDC为磁珠的直流电阻。有过一定磁珠应用经验的工程师都会对类似下图的ZRX曲线有印象：（来自VISHAY贴片磁珠ILBB-0603数据手册）
一般磁珠规格书中的阻抗值都会以100MHz测试值为代表，如下图所示：
而实际的电感器与电容器一样，也会有频率特性，其等效电路应如下图所示：
电感的等效电路结构与磁珠是一样的，其中，EPC表示等效分布电容（线间电容为主），RDC表示线圈的直流电阻（铜损），RAC是磁芯的损耗（铁损）。电感器阻抗在较低的频率下显示出电感特性，并且几乎呈线性增加，当达到其自谐振频率时阻抗达到最大值，之后就显示电容特性，此后几乎线性下降，其频率曲线如下图所示：
将磁珠与电感器的曲线图对比一下，可以看到大体的频率曲线趋势也是差不多的，阻抗都是先高再低的过程，那为什么电感器就不能够替代磁珠呢？有人说：电感器的自谐振频率比较低，高频应用场合就用不了了，那一般电感的自谐振频率可以达到多少呢？我们看看0603贴片电感的自谐振频率，如下图所示（来自VISHAY贴片电感ILSB-0603数据手册）：
上表可以看出，100MHz自谐振频率多了去，而且在超过自谐振频率后，阻抗在较大的范围内也不比磁珠低，一点都不逊色于磁珠，换言之，从高频阻抗的这个角度，电感器完全可以代替磁珠！
事实上，从本质来讲，磁珠就是电感器的一种，有些规格书上也把磁珠称之为磁珠电感器，如下图所示（来自村田MURATA技术手册）：
很多厂家也把磁珠归在电感器一类，因为两者原理是完全一致的，只不过频率特性曲线有所差别：磁珠将电感器的高频阻抗特性加强，并同时将低频阻抗特性削弱，换言之，我们在使用电感器的场合，主要是利用电感器的电感量，其单位是亨利，而我们使用磁珠时，主要利用其高频阻抗特性，阻抗的单位是欧姆。
2、电感是储能元件，磁珠为能量消耗器件。有人说：我去，这还需要理解吗？地球人都知道！你可以不用往下看了，因为你已经比奥特曼更厉害了！我要提的是两个问题：
其一、磁珠为什么不是储能元件？
其二、磁珠是如何消耗能量的？
对于其一，有些读者说：因为磁珠的电感量很小！在理，然而这只是表象！电感量跟能量储存的大小没有必然关系，有人争辩道：不是有个W=（1/2）LI2公式吗？地球人都知道呀！这个公式在实际应用中成立的前提条件是：磁芯未饱和！换言之，电感量大意味着可能储存的能量大（也可能小），更何况，有些磁珠也有那么两三圈，电感量还没小到可以忽略的程度。
我们依然可以根据前面学习过的基础知识判断磁珠是不是储能元件。在前面章节就详细讨论过各种磁性器件储能位置的特点：有能量储存的地方必定会有磁通的变化量，如下图所示磁棒电感：
磁芯中的磁通量ɸ2非常大，而一旦磁路在磁芯范围外就遇到空气，由于空气聚集磁通能力弱而使得磁通发散开来，对于相同的截面积S，磁通量ɸ1非常小，这样就存在磁通变化量ɸ2-ɸ1（磁势差），换言之，其中就存储着能量（详情可参考第八节）
而磁珠的磁芯中磁路如下图所示：
这不是与磁环电感的磁路是一样的吗？你不是在前面已经介绍过，宏观上虽然磁路各处的截面积S内没有磁通变化量，但微观上是有的呀！那磁珠也应该可以储能呀！但是大家要注意：我们之前讨论的是铁粉芯之类的材料，而磁珠的材料是铁氧体，铁氧体的磁导率是非常高的！
有些读者（特别是没有通读前面章节的）对这句话不是很敏感，如果我们不提的话根本就不太在意，磁芯的磁导率高意味着什么？有人想到电感量L的公式，在相同的条件下，磁芯磁导率越高μ则电感量越大，继而能够储存的能量也越大，然而，这跟我们讲的储能没有一毛钱关系（不要转了半天回到电感量的原点）
磁芯的磁导率高意味着内部的分布气隙非常少，而分布气隙是磁环能够储存能量的本质所在，换言之，内部储能的位置也非常少（理想的铁氧体磁芯是没有能量存储的）
那磁珠又是如何消耗能量的呢？我们都知道，当导线有电流通过时，即会产生静磁场，如下图所示：
导线周围磁力线的方向可用“右手定则”来决定：用右手握住导体，如果拇指的方向为电流流动的方向，则其它手指的指向即磁力线的方向（这个电流方向是指规定的电流方向，而不是电子流动的方向）。
磁场是含有能量的，但静磁场是无法进行能量转换的！我们只需要将一个闭合回路的某个活动部分来回运动（切割磁力线）就能够产生电流，因为穿过闭合回路的磁通量已经发生了改变，如下图所示：
这就是著名的法拉地定律：只要穿过闭合电路的磁通量发生变化，移动的导体就会产生感应电动势，则闭合电路中就有电流产生。这种现象称为电磁感应现象，所产生的电流称为感应电流。
上图切割磁力线的方式与下图是类似的，即闭合线圈左右移动切割导体产生的磁场，尽管静磁场本身没有磁通量的变化，但闭合线圈在移动时还是会有磁通变化量的存在。
我们还有一个方法在闭合线圈中产生电流，就是使磁场发生变化，这样就算闭合线圈不移动，交变磁场也会在闭合线圈产生磁通变化量，继而产生感应电流，如下图所示：
高频交流源变化越快，则产生的交变磁场变化也越快，相应的闭合线圈中产生的感应电流也相应越大。
一整块铁板本身也可以等效为一个闭合线圈，这样在高频交流产生的交变磁场在铁板上产生感应电流（涡流电流），这种损耗称为涡流损耗，如下图所示：
涡流产生的热效应在很多场合都是有害的，但工业上利用这种涡流效应可以制成高频感应电炉来冶炼金属，如下图所示：
高频交流源在线圈内激发出很强的高频交变磁场，这时放在坩埚内被冶炼的金属因电磁感应而产生涡流，释放出大量的焦耳热，从而使自身熔化，换言之，电能通过交变磁场转换为热能消耗掉了。
磁珠也是利用同样的原理制作而成的，如果把铁板卷成一个圆柱形套在导体上，就形成了一个磁珠了，这么说来用一个铁戒指也可以当作磁珠了？呵呵！原理上真的可以，但是一根导体产生的磁通量实在是太小了，我们需要一种磁导率很高（相当于磁力线更容易通过，这与电流从低阻抗通道经过是类似的）的材料来收集导体周围在磁场，从这个意义上来讲，磁导率高的材料也有放大磁通量的好处，这样当含有高频噪声成分的直流电流通过磁芯时，就如下图所示：
低频或直流电流产生的低速变化或静磁场，其产生的磁通变化量也比较小，在铁氧体磁芯上几乎不存在涡流损耗；而高频噪声电流在铁氧体磁芯上产生的高速变化的交变磁场，并在磁芯中产生非常大的涡流（能量）损耗，如下图所示：
一些规格书中把磁珠的等效电路图画成下图所示：
这很容易误导工程师理解磁珠的工作原理，以为磁珠是因为高频时电阻很大而起到抑制高频噪声的作用。然而很明显，如果需要磁珠能够有效抑制某高频分量，则该高频信号通过磁珠时，磁芯中的涡流损耗应该是比较大的，亦即磁芯电阻率相对也应该比较小的（你可以理解为电阻较小），这与图表上的阻抗值趋势恰好是相反的，换言之，我们说磁珠阻抗越大，实际此时磁芯电阻率应该是越小的，这样热能量的消耗才会越大，只不过这种行为对于外部高频信号表现出的阻抗比较大。
我们可以用下图来理解磁珠的阻抗（仅作阻抗示意之用）
假设电容C1的自谐振频率恰好等于高频交流源的频率，则电阻R1的大小就能决定负载RL上能够获取高频交流源的成分大小，这里的电阻R1就相当于磁珠磁芯在高频下的电阻率，电阻R1越小（最小是0），通过RC支路的成分就越多，则负载RL上的成分就越小，我们认为磁珠此时的阻抗是较高的（电阻与阻抗的大小趋势相反）。
