自举电容的核心原理是：电容两端电压不能突变。

为什么需要自举电容？

DCDC电路中有两个mos开关管，如下图所示。对于低端的管子Q2，由于其源极接地，所以想要Q2导通，只要在Q2的栅极加一定的电压即可；但是，对于高端的管子Q1，由于其源极的电压Us是浮动的，则不好在其栅极上施加电压以使Q1的Ugs满足导通条件。试想，理想下，Q2的导通电阻为0，即导通时，Q2的Uds为0，则Us=Ud，要想Q2导通则要求Q2的栅极电压Ug大于Ud。在一个电路中实现升压功能让Q1的Vg>Vd就用到了本篇的主角儿———自举电容。

工作原理

当下管Q2导通时，Vcc - D1 - Cboot - Q1 - GND 形成通路，Vcc对Cboot充电，充满后Cboot 电压近似为Vcc。当下管切到上管导通时，Q1导通，此时Q1的Vds近似为0，Cboot下端电压突变到Vin，由于电容电压不能突变，所有Cboot上端电压为Vin + Vcc。所有此时Q1的Vgs还是Vcc，继续保持导通。

芯片内部示意图：

简化示意图：

自举电容容值选择

通常取值10nF~1uF不等。

过大，在下管导通 时间内电源对自举电容充电不能充满 ，造成Cboot上电压偏低。
过小，Cboot储存的电荷量不足以满足以下电荷的需求：
a） MGT栅极电荷要求。

b） Iqbs ：高端驱动电路静态电流。

c） 驱动IC 中电平转换电路的电流。

d） MGT栅极源漏电流。

e） 自举电容漏电流。

自举二极管的选择

在高端器件开通时，自举二极管必须能够阻止高压（上管导通时二级管反向电压等于 Vin，所有反向耐压一定要 高于Vin），并且应是快恢复二极管，以减小从自举电容向电源Vcc 的回馈电荷。如果电容需要长期贮存电荷时，高温反向漏电流指标也很重要。

为什么有的buck没有自举电容？

这个问题跟Buck芯片内部的使用的管子有关系，如果内部2个开关管都是NMOS管，那么是需要自举电容的。但是有的BUCK芯片上管是PMOS管，不需要产生比Vin还高的电压，也就不需要boot电容。如下图所示：