1.单片机内存

1.1 ROM

ROM在系统停止供电的时候仍然可以保持数据；
ROM又分为，PROM（可编程的ROM），EPROM（可擦除可编程ROM）。
两者区别是，PROM是一次性的，也就是软件灌入后，就无法修改了，这种是早期的产品，现在已经不可能使用了，而EPROM是通过紫外光的照射擦出原先的程序，是一种通用的存储器。另外一种EEPROM是通过电子擦出，价格很高，写入时间很长，写入很慢。

1.2 RAM

RAM通常都是在掉电之后就丢失数据，典型的RAM就是计算机的内存；
SRAM（Static RAM /静态RAM），速度非常快，是目前读写最快的存储设备，但非常昂贵，只在要求很苛刻的地方使用，譬如CPU的一级缓冲，二级缓冲；
DRAM（Dynamic RAM/动态RAM），DRAM保留数据的时间很短，速度也比SRAM慢，不过它还是比任何的ROM都要快，但从价格上来说DRAM相比SRAM要便宜很多，计算机内存就是DRAM的。

工作原理：
内存是用来存放当前正在使用的（即执行中）的数据和程序，动态内存(DRAM)中所谓的"动态"，指的是当我们将数据写入DRAM后，经过一段时间，数据会丢失，因此需要一个额外设电路进行内存刷新操作。

具体的工作过程：一个DRAM的存储单元存储的是0还是1取决于电容是否有电荷，有电荷代表1，无电荷代表0。但时间一长，代表1的电容会放电，代表0的电容会吸收电荷，这就是数据丢失的原因；刷新操作定期对电容进行检查，若电量大于满电量的1／2，则认为其代表1，并把电容充满电；若电量小于1／2，则认为其代表0，并把电容放电，藉此来保持数据的连续性。

1.3 flash

FLASH存储器又称闪存，它结合了ROM和RAM的长处，不仅具备电子可擦除可编程（EEPROM）的性能，还不会断电丢失数据同时可以快速读取数据（NVRAM的优势），U盘和MP3里用的就是这种存储器。现在Flash全面代替了ROM（EPROM）在嵌入式系统中的地位，它用作存储Bootloader以及操作系统或者程序代码，或者直接当硬盘使用（U盘）。
NOR Flash，NOR（或非）即地址、数据总线分开，读写单位为字节；
NADN Flash，NAND（与非）即地址、数据总线共用，读写单位为页；

NOR Flash的读取和我们常见的SDRAM的读取是一样，用户可以直接运行装载在NOR FLASH里面的代码，这样可以减少SRAM的容量从而节约了成本。

NAND Flash没有采取内存的随机读取技术，它的读取是以一次读取一块的形式来进行的，通常是一次读取512个字节，采用这种技术的Flash比较廉价。用户不能直接运行NAND Flash上的代码，因此好多使用NAND Flash的开发板除了使用NAND Flah以外，还加上了一块小的NOR Flash来运行启动代码。

2.内存映射

16位单片机，最大寻址能力即2的16次方，65535/1024=64k，当flash内存大于64k时，为了地址索引的方便，即有了分页窗口的说法。

2.1 本地地址

本地地址，就是0到64k，在寻址范围内的地址，16k一页，共四页
0x0000-0x3FFF(包含寄存器空间，D-flash,RAM,EEPROM）
0x4000-0x7FFF
0x8000-0xBFFF(分页窗口)
0xC000-0xFFFF

2.2 逻辑地址

逻辑地址，就是指分页窗口的地址，可以索引到超过寻址范围的地址。
拿MC9S12G128来讲，128k，一页16k，共8页，地址命名就是分页窗口号加上分页窗口地址，飞思卡尔HS12系列最大flash是256k即16页，刚好是0-F，对于MC9S12G128来说，分页窗口号是从F开始递减的，也就是8-F（F->8好理解一些）具体命名如下也就是地址如下：
08 8000 - 08 BFFF
09 8000 - 09 BFFF
0A 8000 - 0A BFFF
0B 8000 - 0B BFFF
0C 8000 - 0C BFFF
0D 8000 - 0D BFFF（对应4000-7FFF）
0E 8000 - 0E BFFF
0F 8000 - 0F BFFF（对应C000-FFFF）

2.3全局地址

全局地址，就是可以将flash线性索引的一串地址规则，规定也是由0x3FFFF开始往上数，具体命名如下：
0x20000-0x23FFF
0x24000-0x27FFF
0x28000-0x2BFFF
0x2C000-0x2FFFF
0x30000-0x33FFF
0x34000-0x37FFF(对应4000-7FFF）
0x38000-0x3BFFF
0x3C000-0x3FFFF(对应C000-FFFF）