基本概念

• CMOS（互补对称式金属-氧化物-半导体电路），具有源极（S）、栅极（G）和漏极（D）;
• 源极（S）、栅极（G）的回路为输入回路，漏极（D）和源极（S）之间的回路为输出回路；

1. N沟道增强型MOS管

• 采用的是P型衬底，源极（S）、栅极（G）的回路需要正向电压，输出回路才能开启；
• 需要将衬底B接源极或者接到系统的最低电位；
• 衬底B上的箭头指向MOS管内部；

2. P沟道增强新MOS管

• 采用的是N型衬底，源极（S）、栅极（G）的回路需要负向电压，输出回路才能开启；
• 需要将衬底B接源极或者接到系统的最高电位（+VDD）；
• 衬底B上的箭头指向MOS管外部；
  

反相器

• 由一个N沟道增强型MOS管和（T2）一个P沟道增强型MOS管（T1）组成；
• 当v1为低时，T1导通，T2截止，输出为高电平；
• 当v1为高时，T2导通，T1截止。输出为低电平；
  

注意：正是由于静态下无论是高电平还是低电平，T1和T2之间总有一个是截止的，而且截止内阻极高，流过的电流极小，所以CMOS反相器的静态功耗很低。

与非门

• 由两个串联的N沟道增强型和两个并联的P沟道增强型构成；
• 当A为高（1）、B为低（0）时，T3导通、T4截止，输出为高；同理，A为低、B为高，输出为高；
• 当A、B同时为高时，T3和T1截止，T2和T4同时导通，输出为低；
• 当A和B同时为低时，T3和T1同时导通，T2和T4同时截止，输出为高；
• 故此电路是与非逻辑，Y=(A·B)’
  

或非门

• 由两个串联的P沟道增强型和两个并联的N沟道增强型构成;
  

哈哈，我自己记忆的口诀：与非串N，或非串俩P；

OD门和三态门

1.OD门

• OD门称为漏极开路输出门电路；
• 功能：满足输出电平转换、吸收大负载电流和实现线与逻辑；
• 线与：就是将几个OD门的输出端直接相连，比如将两个与非OD门输出实现线与逻辑，就形成了一个与或非电路；
• OD门工作时必须将输出端经上拉电阻RL接到电源上.
  

2.三态门

• 三态门的输出除了有高低电平这两个状态外，还有第三态——高阻态；
• 三态门除了原有的输入端之后，还需要加入一个三态控制端EN’;